Американская корпорация отказалась поставлять России оборудование, так как решила, что микросхемы – это технологии двойного назначения.
Глава «Роснано» Анатолий Чубайс рассказал в интервью ИТАР-ТАСС, что американская корпорация Applied Materials отказалась поставлять «Роснано» оборудование для завода по производству микросхем MRAM-памяти.
Такое решение было принято компанией в связи с введенные ранее властями США санкциями, которые ограничивают поставки в Россию технологий двойного назначения.Чубайс 19 августа рассказал, что строительство крупного предприятия «Крокус наноэлектроника» в технополисе «Москва» по производству магниторезистивной памяти (MRAM) находится уже на завершающей стадии. Проект строительства реализует международный консорциум с участием «Роснано». Часть оборудования, при этом, должна была поставить американская компания Applied Materials. Отказ американцев поставлять чипы не сорвал пуск завода, подчеркнул глава «Роснано». Альтернативного поставщика необходимого оборудования нашли в Китае.
Компания «Крокус Наноэлектроника» - это совместное предприятие «Роснано» и Crocus Technology. В октябре 2013 года эта компания запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM).
Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование «Роснано» в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 году превысит 8 млрд евро.
В интервью ИТАР-ТАСС Чубайс также рассказал, что американский алюминиевый концерн Alcoa временно отказался от планов по созданию совместного предприятия с «Роснано» в Самарской области. Ранее компании договорились создать предприятие по выпуску бурильных труб с нанопокрытием в районе Белой Калитвы. Но после введения секторальных санкций в отношении России ряд технологий для топливно-энергетического комплекса попал под ограничения. По словам Чубайса, «проект будет реализовываться, но на первом этапе Alcoa инвестирует самостоятельно», а у у «Роснано»оРоРо «осталась возможность в него войти на следующих этапах».
Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания.
Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.
Фото: Википедия
Свежие комментарии