На информационном ресурсе применяются рекомендательные технологии (информационные технологии предоставления информации на основе сбора, систематизации и анализа сведений, относящихся к предпочтениям пользователей сети "Интернет", находящихся на территории Российской Федерации)

Картина дня. Финансы

46 324 подписчика

Свежие комментарии

  • Vova Гарин
    Также это один народ,братья и сёстры хохло-бандеровцы живут душа в душу надо пример с них брать -ржу не могуЕдиная, сплоченна...
  • Лариса Галахова
    А в это время уже четверть Израиля перемещается на чудесные украинские земли.Зеля тщательно их очищает для будущих но...«Резидент»: Зелен...
  • Юрий Юрченко
    Украины по факту не существует. Амерам ничего не может там принадлежать. Это исключительно земли России!!!Рютте оговорился ...

Инновации в России: завод Ангстрем-Т освоил технологию производства Trench MOSFET силовых транзисторов

АО «Ангстрем-Т» освоило современную технологию производства силовых транзисторов Trench MOSFET. В данный момент Ангстрем-Т является единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа.

Силовые Trench MOSFET-транзисторы массово применяются в любой электронной технике, где необходимо преобразовывать и управлять электроэнергией: например, в каждом устройстве, для работы которого используется аккумулятор или блок питания.

В отличие от планарной, Trench MOSFET-технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.

Объем мирового рынка MOSFET транзисторов составляет не менее 6 млрд долларов в год и по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.

АО «Ангстрем-Т» - ведущий российский производитель субмикронных полупроводниковых изделий с базовыми топологическими нормами 250-130-90 нм с перспективой перехода на 65 нм, включая технологические опции. АО «Ангстрем–Т» предоставляет технологическую платформу коллективного пользования инновационным компаниям на контрактной основе, а также научно-исследовательский центр по разработке новой продукции и технологий.

Ссылка на первоисточник
наверх